3. 开维持泵、真空计电源,真空计档位置V1位置,等待其值小于10后,再进入下一步操作。约需5分钟。
4. 开机械泵、予抽,开涡轮分子泵电源、启动,真空计开关换到V2位置,抽到小于2为止,约需20分钟。
5. 观察涡轮分子泵读数到达250以后,关予抽,开前机和
高阀继续抽真空,抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头,观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子枪电源。 1. 总电源。
2. 同时开电子枪控制Ⅰ和电子枪控制Ⅱ电源:按电子枪控制Ⅰ电源、延时开关,延时、电源及保护灯亮,三分钟后延时及保护灯灭,若后门未关好或水流继电器有故障,保护灯会常亮。
3. 开高压,高压会达到10KV以上,调节束流可到200mA左右,帘栅为20V/100mA,灯丝电流1.2A,偏转电流在1~1.7之间摆动。 1. 关高真空表头、关分子泵。
2. 待分子泵显示到50时,依次关高阀、前级、机械泵,这期间约需40分钟。
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离子镀膜,一个精密的工艺过程,其核心是离子溅射镀膜。对于导电靶,偏压电源扮演了关键角色,采用直流电场的精密调控,确保阴极表面的电子被加速,进而轰击气体分子,引发电离现象。这个过程中,电子被电场驱动,形成雪崩效应,直至气体被击穿,形成稳定的电离电流,进而驱动离子加速,撞击靶材,将原子释放并沉积在样品表面,形成所需涂层。
偏压电源,就像荧光灯中的核心组件,它通过高频转换电路,以单极性脉冲方式输出。电源电压的精细调整通过改变高频转换电路的输入电压实现,稳压性能高达1%。这种设计允许在工艺所需电压的同时,通过调整脉冲宽度来控制工件的加热效果,适用于各种涂层需求,从工具保护到装饰美化。
离子渗氮:可以在辉光放电条件下,将N、C等元素渗入到零件和模具内部、明显提高表面硬度、抗疲劳等性能和耐腐蚀性,相对于总体渗氮处理时间短、湿度低、变形小、表面性能可控,可用于各种钢铁及钛合金结构件,各种模具和各种不锈钢制品。
等离子体化学气相沉积设备与技术(离子渗氮,氮碳共渗)
等离子体化学气相沉积(PCVD)是一种新型的脉冲直流等离子体辅助沉积硬质镀膜新技术。在一定压力、温度的真空炉内,加入适当比例的不同工作气体,在脉冲电压的作用下,通过辉光放电产生均匀等离子体。在不同工艺条件下,可在被处理工件表面形成各种硬质膜如TiN、TiC、TiCN、(Ti、Si)N、(Ti、Si)CN及多层复合膜等,显微硬度高达HV2000--2500。
真空镀膜加工中冷却设备需要提供智能、稳定的冷冻水,来确保真空镀膜工艺中电镀液的温度恒定,所以会选择使用水冷式冷水机来作为真空镀膜加工冷却设备。
一 真空镀膜加工中冷却设备冷水机的作用
真空镀膜加工过程中,真空镀膜机作为主要设备,工作过程中有高频电流过程,电导会在反复过程中产生大量热能并且集聚在一起,需要冷却设备及时地进行冷却,避免设备部件损坏,影响使用寿命;另外,真空镀膜电镀液需要根据电镀产品不同进行温度调节,并保持相对恒温,反复镀膜会造成镀液温度升高,同样需要冷却设备来准确地控制和稳定电镀液的温度。在工业生产控温中,根据真空镀膜加工的实际需求,选用相应规格的冷水机设备来进行、稳定的温度控制调节是经济有效的解决方案。
1)所需设备:CCZK-1350-OGS光学电子枪镀膜设备
2)获得膜层:多层化合物膜层,超硬防水膜层,防指纹膜层,彩色膜层
3)涂装流程:玻璃产品的前处理清洗----烘箱烘干-----真空镀膜----成品包装
4)基本配置:
腔体结构:D1350MM*H1350MM 立式单开门
腔体材质:304不锈钢
转动方式:公自转结合,穹顶行星式转架
蒸发电源:SCR可控硅+大功率蒸发变压器
蒸发阻源:3组
电 子 枪:E型电子枪,磁偏转270°
坩 埚:可旋转多孔位坩埚
直接的镀膜控制方法是石英晶体微量平衡法(QCM),这种仪器可以直接驱动蒸发源,通过PID控制循环驱动挡板,保持蒸发速率。只要将仪器与系统控制软件相连接,它就可以控制整个的镀膜过程。但是(QCM)的度是有限的,部分原因是由于它监控的是被镀膜的质量而不是其光学厚度。
此外虽然QCM在较低温度下非常稳定,但温度较高时,它会变得对温度非常敏感。在长时间的加热过程中,很难阻止传感器跌入这个敏感区域,从而对膜层造成重大误差。
光学监控是高精密镀膜的的监控方式,这是因为它可以更地控制膜层厚度(如果运用得当)。度的改进源于很多因素,但根本的原因是对光学厚度的监控。
OPTIMAL SWA-I-05单波长光学监控系统,是采用间接测控,结合汪博士开发的光学监控软件,有效提高光学反应对膜厚度变化灵敏度的理论和方法来减少误差,提供了反馈或传输的选择模式和大范围的监测波长。特别适合于各种膜厚的镀膜监控包括非规整膜监控。